CCD及CMOS图像传感器的质子位移损伤等效分析

• 作者: 于新 何承发 周东 张兴尧 文林 李豫东 荀明珠 郭旗
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: 位移损伤效应 非电离能量损失 CCD CMOS
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 辐射效应及加固技术
• 页码范围: 42-46
• 页数: 5页
• 分类号: TP211.6|O472.8
• 字数: 1971字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2019.020602

摘要

对位移损伤敏感器件CCD及CMOS图像传感器进行了3,10,23 MeV质子辐照试验,获得了电荷转移效率及暗电流退化程度分别随非电离能量损失(NIEL)变化的线性关系,验证了基于NIEL的位移损伤等效方法的可行性.为准确预测抗辐射加固工程中,器件屏蔽结构带来的能量崎离、次级粒子等非理想因素对器件参数退化的影响,利用Geant4计算了不同质子能量下的NIEL值.结果 表明,随着质子能量降低,计算得到的NIEL值与解析法给出的理想NIEL值的差异增大.因此,对于结构复杂的器件,有必要建立器件结构模型,以便准确计算NIEL.