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辐射环境下CMOS图像传感器的暗电流幅值分布预测方法
辐射环境下CMOS图像传感器的暗电流幅值分布预测方法
作者:
刘晗
刘超
惠祥力
郑然
原文服务方:
微电子学与计算机
暗电流幅值分布
预测
质子
γ射线
辐射环境
摘要:
在空间卫星系统中,CMOS图像传感器也成为了首选的成像器件.然而,空间中存在的各种辐射粒子所引起的辐射效应,会使CMOS图像传感器暗电流均值增加、不一致性增强,导致图像信噪比降低,影响成像质量.基于半导体器件的辐射效应原理,分析了γ射线和质子辐射对CMOS图像传感器的总剂量和位移损伤效应,提出了一种混合辐射环境下暗电流分布建模方法.仿真结果表明,提出的方法能够准确预测γ射线和质子混合辐射环境下CMOS图像传感器的暗电流幅值分布情况.
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一种新型CMOS图像传感器的设计
CMOS图像传感器
有源像素
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文献信息
篇名
辐射环境下CMOS图像传感器的暗电流幅值分布预测方法
来源期刊
微电子学与计算机
学科
关键词
暗电流幅值分布
预测
质子
γ射线
辐射环境
年,卷(期)
2018,(4)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
144-148
页数
5页
分类号
TP391
字数
语种
中文
DOI
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作者信息
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姓名
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1
刘超
西北工业大学计算机学院
28
97
6.0
8.0
2
郑然
西北工业大学计算机学院
27
92
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刘晗
西北工业大学计算机学院
1
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惠祥力
西北工业大学计算机学院
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预测
质子
γ射线
辐射环境
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
主办单位:
中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-7180
CN:
61-1123/TN
开本:
大16开
出版地:
邮发代号:
创刊时间:
1972-01-01
语种:
chi
出版文献量(篇)
9826
总下载数(次)
0
总被引数(次)
59060
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