原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
在空间卫星系统中,CMOS图像传感器也成为了首选的成像器件.然而,空间中存在的各种辐射粒子所引起的辐射效应,会使CMOS图像传感器暗电流均值增加、不一致性增强,导致图像信噪比降低,影响成像质量.基于半导体器件的辐射效应原理,分析了γ射线和质子辐射对CMOS图像传感器的总剂量和位移损伤效应,提出了一种混合辐射环境下暗电流分布建模方法.仿真结果表明,提出的方法能够准确预测γ射线和质子混合辐射环境下CMOS图像传感器的暗电流幅值分布情况.
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文献信息
篇名 辐射环境下CMOS图像传感器的暗电流幅值分布预测方法
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 暗电流幅值分布 预测 质子 γ射线 辐射环境
年,卷(期) 2018,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 144-148
页数 5页 分类号 TP391
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘超 西北工业大学计算机学院 28 97 6.0 8.0
2 郑然 西北工业大学计算机学院 27 92 5.0 8.0
3 刘晗 西北工业大学计算机学院 1 0 0.0 0.0
4 惠祥力 西北工业大学计算机学院 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
暗电流幅值分布
预测
质子
γ射线
辐射环境
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
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59060
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