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InGaAs固体微光器件研究进展
InGaAs固体微光器件研究进展
作者:
冯云祥
史衍丽
张卫锋
李燕红
胡锐
褚祝军
邓功荣
郭骞
陆强
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
InGaAs
固体微光器件
量子效率
高温器件
雪崩二极管
摘要:
InGaAs器件具有光谱响应宽、量子效率高、响应速度快、数字化读出、高温工作、可靠性好以及寿命长等优点,符合新一代微光器件的发展需求,在国际上成为固体微光器件的一种新选择,获得了重要的发展和应用。文章就 InGaAs 固体微光器件材料属性、器件性能以及成像特点等几方面进行了详细分析,介绍了当前InGaAs器件的发展趋势,以及研制320×256 InGaAs阵列的最新进展。研究结果表明 InGaAs 材料生长及器件工艺具有较好的可控性和稳定性,为实现高性能、实用化的InGaAs固体微光器件提供了技术支撑。
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内容分析
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相关文献总数
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文献信息
篇名
InGaAs固体微光器件研究进展
来源期刊
红外技术
学科
工学
关键词
InGaAs
固体微光器件
量子效率
高温器件
雪崩二极管
年,卷(期)
2014,(2)
所属期刊栏目
综述与评论
研究方向
页码范围
81-88
页数
8页
分类号
TN215
字数
3283字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
陆强
8
34
4.0
5.0
传播情况
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引文网络
引文网络
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2020(2)
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研究主题发展历程
节点文献
InGaAs
固体微光器件
量子效率
高温器件
雪崩二极管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外技术
主办单位:
昆明物理研究所
中国兵工学会夜视技术专业委员会
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-8891
CN:
53-1053/TN
开本:
大16开
出版地:
昆明市教场东路31号《红外技术》编辑部
邮发代号:
64-26
创刊时间:
1979
语种:
chi
出版文献量(篇)
3361
总下载数(次)
13
总被引数(次)
30858
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