光电耦合器高能质子位移辐射损伤效应评估

• 作者: 于庆奎 唐民 孟猛 文平 李家敏 李鹏伟 胡泓波
• 来源期刊: 航天器环境工程
• 学科: 工学
• 关键词: 光电耦合器 高能质子 位移损伤 辐射效应评估
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 536-539
• 分类号: TN402|TN406
• 字数: 2311字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1379.2012.05.012

摘要

文章针对光电耦合器的空间辐射损伤效应,在国内首次开展了高能质子辐照对光电耦合器的位移损伤效应试验研究.结果表明:电流传输比是光电耦合器件位移损伤的敏感参数;相同质子等效注量辐照下,70 MeV能量的质子比191.17 MeV能量的质子对光电耦合器的损伤更严重;此外其他条件相同时,较大驱动电流下器件的位移损伤较小.文章还分析了引起光电耦合器件电流传输比退化的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李家敏		13	43	4.0	6.0
2	唐民	中国空间技术研究院宇航物资保障事业部	14	65	5.0	7.0
3	于庆奎	中国空间技术研究院宇航物资保障事业部	14	65	5.0	7.0
4	孟猛	中国空间技术研究院宇航物资保障事业部	8	16	2.0	3.0
5	李鹏伟	中国空间技术研究院宇航物资保障事业部	4	8	2.0	2.0
6	文平		1	3	1.0	1.0
7	胡泓波		1	3	1.0	1.0