光电耦合器件中子辐照位移损伤效应试验研究

• 作者: 朱胜利 苏亚丽
• 来源期刊: 航天器环境工程
• 学科: 物理学
• 关键词: 光电耦合器 中子辐照 位移损伤 电流传输比 试验研究
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 地面试验
• 页码范围: 374-379
• 页数: 6页
• 分类号: O483|V416.5
• 字数: 3747字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12126/see.2019.04.013

摘要

空间高能粒子引发的位移损伤效应会引起光电耦合器件饱和压降、电流传输比、击穿电压和正向电压等参数发生变化以致器件失效.为研究低地球轨道中子环境产生的位移损伤效应对该轨道航天器上光电耦合器件的影响,文章利用中子辐照源,在不同注量下对不同型号的光电耦合器件进行试验研究,得出器件饱和压降、电流传输比、击穿电压及正向电压随中子辐照注量的变化规律.研究结果表明:饱和压降、电流传输比和击穿电压对中子辐照的敏感度较高,而正向电压对辐照并不敏感.分析表明,辐照引起的位移损伤效应是导致器件电流传输性能退化的一个重要原因.研究结果可为光电耦合器件在空间环境中的使用提供试验依据和参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苏亚丽	西安石油大学机械工程学院	6	0	0.0	0.0
2	朱胜利	西安交通大学软件学院	1	0	0.0	0.0