光电耦合器的反应堆中子辐射效应

• 作者: 刘敏波 唐本奇 张勇 王祖军 肖志刚 黄绍艳
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 光电耦合器 光敏晶体管 反应堆中子 电流传输比 饱和压降
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 801-805
• 分类号: TN36
• 字数: 3246字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20112303.0801

摘要

选择3种典型光电耦合器开展了反应堆中子辐照实验,中子注量为3×1011～5×1012 cm-2时,位移效应导致电流传输比下降,饱和压降提高.发光器件相同,探测器为Si PIN光电二极管的光电耦合器比探测器为Si NPN光敏晶体管的光电耦合器的初始电流传输比要小,但其抗位移损伤能力更强.探测器均为Si NPN光敏晶体管,发光器件为异质结LED要比硅两性掺杂LED的光电耦合器的电流传输比抗位移损伤能力提高2个量级;以光敏晶体管为探测器的光电耦合器,在较大的正向电流和输出负载电阻条件下工作可提高抗辐射水平.此外,光电耦合器的位移损伤存在加电退火效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐本奇		32	248	9.0	13.0
2	王祖军		22	178	7.0	12.0
3	刘敏波		22	147	8.0	10.0
4	肖志刚		29	227	8.0	13.0
5	张勇		23	200	8.0	12.0
6	黄绍艳		27	220	8.0	13.0