光电耦合器位移损伤效应研究

• 作者: 冯展祖 杨生胜 王云飞 王健 高欣
• 来源期刊: 航天器环境工程
• 学科: 工学
• 关键词: 光电耦合器 位移损伤 辐射效应
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 空间特殊环境效应研究
• 页码范围: 122-124
• 页数: 3页
• 分类号: V416.5|TN366
• 字数: 2315字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1379.2009.02.005

摘要

文章针对光电耦合器在空间辐射应用中的位移损伤效应,选取了一种典型的光电耦合器4N25进行了1MeV高能电子辐照试验,获得了辐照后器件电流传输比参数(CTR)的退化与电子注量的关系:在试验注量范围(1.3×1012～1.5×1013cm-2)内,nCTR与电子通量成反比.通过位移损伤对器件及材料作用过程的分析,探讨了光电耦合器位移损伤效应作用机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨生胜	兰州物理研究所真空低温技术与物理国家重点实验室	17	121	7.0	10.0
2	王云飞	兰州物理研究所真空低温技术与物理国家重点实验室	9	63	5.0	7.0
3	高欣	兰州物理研究所真空低温技术与物理国家重点实验室	8	84	4.0	8.0
4	冯展祖	兰州物理研究所真空低温技术与物理国家重点实验室	4	14	2.0	3.0
5	王健	兰州物理研究所真空低温技术与物理国家重点实验室	4	14	2.0	3.0