电荷耦合器件的~(60)Coγ射线和电子辐射损伤效应

• 作者: 于跃 任迪远 李鹏伟 王义元 郭旗 高博
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 电荷耦合器件 位移损伤 γ射线 电子辐照
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 124-128
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.5
• 语种: 中文

摘要

对东芝公司生产的TCD1209D线阵电荷耦合器件(CCDs)进行了~(60)Co γ和1 MeV电子辐照实验,获得了CCDs的像元信号输出波形、像元光强量化值及器件功耗电流随辐照剂量的变化规律.比较了两种射线产生的CCDs辐射损伤.结果显示~(60)Co γ和1 MeV电子导致的CCDs辐射损伤不仅在程序上存在差异,而且二者的表现形式也有所不同.分析了电离辐射和位移损伤对CCDs内部不同单元的影响,表明了电子辐照产生的位移损伤是造成上述差别的重要原因.