典型光电子器件辐射效应数值分析与试验模拟方法研究

• 作者: 唐本奇 张勇 毛用泽 王峰 王祖军 肖志刚 黄绍艳 黄芳
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 光电器件 辐射效应 数值分析 模拟试验
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 183-187
• 页数: 5页
• 分类号: TN99
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2005.02.019

摘要

选取Si太阳电池与线阵CCD器件,进行了光电器件辐射效应的数值分析与模拟试验方法研究.分析了光电器件电离效应和位移损伤机理,利用二维器件模拟软件MEDICI,模拟了1 MeV电子对n/p型硅太阳电池主要输出参数的影响,包括开路电压Voc、短路电流Isc和最大输出功率Pmax.在一定范围内,计算结果与文献实验数据符合较好.建立了线阵CCD器件辐照效应离线测量系统.利用60Co γ源,进行了商用器件的总剂量效应试验,给出了暗电流信号和饱和电压信号的变化曲线.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐本奇		32	248	9.0	13.0
3	王祖军		22	178	7.0	12.0
4	肖志刚		29	227	8.0	13.0
5	张勇		23	200	8.0	12.0
6	黄绍艳		27	220	8.0	13.0
7	毛用泽	防化研究院第二研究所	13	40	4.0	5.0
10	黄芳		1	5	1.0	1.0
11	王峰	防化研究院第二研究所	1	5	1.0	1.0