3 MeV质子辐照条件下DC/DC位移损伤机理研究

• 作者: 于新 何承发 周东 张兴尧 文林 李豫东 郭旗
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: DC/DC 位移损伤效应 电离损伤效应 位移缺陷 退火
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 辐射效应及加固技术
• 页码范围: 37-42
• 页数: 6页
• 分类号: TP211.5|O472.8
• 字数: 1944字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2017.040604

摘要

针对DC/DC的质子位移效应,选取具有抗TID能力的DC/DC器件作为试验样品,在3 MeV质子辐照条件下获取了器件的失效位移损伤剂量.结果表明,DC/DC功能失效是PWM控制器输出异常导致的.通过等效60Co γ辐照及退火试验,排除了TID效应的影响,确定器件功能失效是由位移损伤引起的.高温退火后器件功能恢复,并立即对该器件进行了测试.结果表明,输出电压、电压调整度、负载调整度、交叉调整度、纹波及负载跃变时的输出电压均大幅衰退.利用这些敏感参数,获取了位移损伤导致的电源性能衰退模式.根据位移损伤缺陷类型及退火温度,分析了DC/DC的退火规律,可为DC/DC质子辐射损伤模拟试验方法的建立及其空间应用提供依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周东	中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室	13	89	6.0	9.0
2	何承发	中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室	14	85	4.0	9.0
3	于新	中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室	6	43	4.0	6.0
4	文林		3	2	1.0	1.0
5	李豫东	中国科学院新疆理化技术研究所	10	17	2.0	3.0
6	郭旗		4	4	2.0	2.0
7	张兴尧	中国科学院新疆理化技术研究所	3	6	1.0	2.0