质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性

• 作者: 何承发 刘默涵 姜柯 曾俊哲 王信 郭旗 陆妩 马武英
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: PNP输入双极运算放大器 质子辐射 60 Coγ射线辐射 辐射效应
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 2087-2092
• 页数: 6页
• 分类号: TN321.8|TN431
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2015.49.11.2087

摘要

对不同偏置下的PNP 输入双极运算放大器在3、10 MeV 两种质子能量下的辐照效应进行了研究,并将质子辐射损伤效应与0.5 Gy(Si)/s剂量率60 Coγ射线辐射损伤效应进行了比较,以探究质子和γ射线产生的辐射损伤之间的对应关系。结果表明,运放 LM837对γ射线的敏感程度较10 MeV 质子和3 MeV质子的小,然而其室温退火后的后损伤效应却更严重；相同等效总剂量条件下,10 MeV 质子造成的损伤较3 MeV质子的高；质子辐射中器件的偏置条件对损伤影响不大。