一种超宽共模输入范围高性能运算放大器的设计

• 作者: 程帅 邓敏 邹雪城 陈卫洁
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 超宽输入范围 共模电平 输入管饱和 BiCMOS工艺
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 79-81
• 页数: 3页
• 分类号: TN433
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2007.01.022

摘要

在分析运算放大器一般输入级电路结构的基础上,文章设计出一种新颖的电路结构以实现运算放大器的超宽共模输入范围,摆脱了电源电压对信号共模电平范围的限制,解决了一般运放输入级中容易出现的输入管饱和问题.电路采用1.6 μm的P衬N阱BiCMOS工艺制程,HSPICE仿真结果表明:电源电压为2.7V时,运算放大器的共模电平VCM输入范围为1V～7V,带宽为3 MHz(相位裕度72.5),开环增益为62.5 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹雪城	华中科技大学电子科学与技术系	310	2261	21.0	31.0
2	陈卫洁	华中科技大学电子科学与技术系	4	37	4.0	4.0
3	邓敏	华中科技大学电子科学与技术系	71	761	13.0	25.0
4	程帅	华中科技大学电子科学与技术系	10	114	7.0	10.0