不同偏置下电流反馈运算放大器的电离辐射效应

• 作者: 任迪远 王义元 费武雄 郑玉展 陆妩 陈睿 高博
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 电离辐射 电流反馈运算放大器 偏置 低剂量率损伤增强效应
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 461-466
• 分类号: TN431.1|O571.33
• 语种: 中文

摘要

在不同偏置条件下,对基于互补双极工艺生产的电流反馈运算放大器(CFA)进行了高低剂量率下的电离辐射效应研究.研究发现,在不同偏置条件下,器件损伤差异明显.在零偏条件下,器件在低剂量率下损伤显著增强,表现为低剂量率损伤增强效应(ELDRS);在小工作电压下辐照时,器件损伤较小,且不同剂量率之间损伤差异不明显;而在大工作电压下辐照时,器件在高剂量率下的损伤明显大于低剂量率下的损伤,在随后的室温退火中,又恢复到与低剂量率损伤相当的程度,表现为时间相关效应.结果表明,双极器件是否具有ELDRS效应与实验偏置条件有重要关系.