质子和中子在硅中位移损伤等效性计算

• 作者: 张凤祁 张科营 王园明 王忠明 王燕萍 罗尹虹 郭晓强 郭红霞 陈伟
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 中子 质子 硅 反冲原子 非电离能量阻止本领
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 1803-1806
• 页数: 4页
• 分类号: TN99
• 字数: 2496字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20132507.1803

摘要

基于蒙特卡罗软件Geant4,探讨质子与硅的库仑散射和核反应及中子与硅的核反应产生反冲原子沉积非电离能量的过程,建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法.在此方法中,描述了原子间库仑散射的物理过程,模拟带电粒子与晶格原子之间的屏蔽库仑散射.计算得到不同能量质子和中子在硅中因库仑散射和核反应产生反冲原子的非电离能量沉积及阻止本领的等效性,计算结果与中子ASTM标准及文献计算得到的质子数据符合很好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗尹虹		54	199	8.0	10.0
2	陈伟		95	286	8.0	11.0
3	张凤祁		40	169	8.0	10.0
4	郭红霞		81	385	10.0	13.0
5	王燕萍		11	66	6.0	7.0
6	王忠明		5	26	4.0	5.0
7	张科营		23	111	7.0	8.0
8	郭晓强		27	152	7.0	11.0
9	王园明		10	51	4.0	7.0