高质量立方相InGaN的生长

• 作者: 孙小玲 张书明 徐大鹏 李顺峰 杨辉 王玉田 赵德刚
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN MOCVD生长 光致发光
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 548-553
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+6
• 字数: 3946字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.06.005

摘要

利用LP-MOCVD技术在GaAs(001)衬底上生长了高质量的立方相InGaN外延层.研究了生长速率对hGaN质量的影响,提出一个简单模型解释了在改变TEGa流量条件下出现的In组分的变化规律,实验结果与模型的一次项拟合结果较为吻合,由此推断,在现在的生长条件下,表面单个Ga原子作为临界晶核吸附Ga或In原子实现生长的模型与实际情况较为接近.对于晶体质量的变化也给予了说明.得到的高质量立方相InGaN室温下有很强的发光峰,光致发光峰半高宽为128meV左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨辉	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	179	2701	25.0	46.0
2	王玉田	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	13	28	3.0	5.0
3	赵德刚	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	42	214	9.0	12.0
4	孙小玲	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	5	20	2.0	4.0
5	李顺峰	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	3	8	2.0	2.0
6	徐大鹏	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	11	77	4.0	8.0
7	张书明		11	20	3.0	4.0