高质量InGaN的等离子体辅助分子束外延生长和In的反常并入行为

• 作者: 吴渊渊 文瑜 杨辉 王乃明 王建峰 王海啸 甘兴源 郑新和?
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: InGaN外延薄膜 射频等离子体辅助分子束外延 In并入 晶体质量
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 页码范围: 086101-1-086101-6
• 分类号: 61.50.Ah|78.55.Cr
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.086101

摘要

采用射频等离子体辅助分子束外延技术生长得到了In组分精确可控且高质量的InxGa1?xN (x 0.2)外延薄膜.生长温度为580?C的In0.19Ga0.81N薄膜(10.2)面非对称衍射峰的半高宽只有587弧秒,背景电子浓度为3.96×1018/cm3.在富金属生长区域, Ga束流超过N的等效束流时, In组分不为零,即Ga并没有全部并入外延层;另外,稍微增加In束流会降低InGaN的晶体质量.