掺In对反型AlGaAs/GaAs异质界面质量的改善及其应用

• 作者: 吴曙东 周均铭 尚勋忠 牛萍娟 王文冲 郭丽伟 黄绮
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱 高电子迁移率晶体管 界面粗糙度 光致发光 表面活化剂
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1128-1131
• 页数: 4页
• 分类号: TN32
• 字数: 1711字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.09.016

摘要

研究了AlGaAs层掺1%的In对AlGaAs/GaAs量子阱光致发光谱的半峰宽的影响.25K的光致发光结果表明,In作为表面活化剂能有效改善AlGaAs/GaAs异质界面的粗糙度.将此方法应用到反型AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)材料结构中,Hall测量表明该方法能有效提高反型HEMT的电学性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周均铭	中国科学院物理研究所	29	95	6.0	8.0
2	黄绮	中国科学院物理研究所	26	106	7.0	9.0
3	郭丽伟	中国科学院物理研究所	4	15	3.0	3.0
4	吴曙东	中国科学院物理研究所	5	6	1.0	2.0
5	王文冲	中国科学院物理研究所	4	0	0.0	0.0
6	尚勋忠	中国科学院物理研究所	1	0	0.0	0.0
7	牛萍娟	中国科学院物理研究所	1	0	0.0	0.0