GaAs/AlGaAs异质结的微波调制反射谱

• 作者: 姬扬 谷晓芳 钱轩
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 微波调制反射谱 二维电子系统
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 页码范围: 486-489,510
• 分类号: O472|O482.55|O514.2
• 字数: 342字
• 语种: 中文

摘要

基于搭建的微波调制反射谱测量系统(MMRS),确定了GaAs/AlGaAs异质结构中价带空穴到二维电子系统(2DES)电子基态(GS)的跃迁.微波调制反射谱与温度的依赖关系表明,随着测量温度的升高,能带带隙发生了蓝移现象；而其与磁场的依赖关系表明,随着测量磁场的增大,能带带隙则发生了红移现象；它们均与GaAs/AlGaAs异质结构中价带空穴的带填充效应有关.基于Kramers-Kronig关系的理论模拟给出了和实验测量相似的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姬扬	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	42	12	2.0	2.0
2	钱轩	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	4	5	1.0	2.0
3	谷晓芳	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	1	0	0.0	0.0