GaAs/Si/AlAs异质结的DLTS实验研究

• 作者: 李永平 牛智川 田强
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光电子学 深能级瞬态谱 深能级缺陷 Si夹层 GaAs/AlAs异质结
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 923-926
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3
• 字数: 1459字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2005.06.018

摘要

利用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究了Si夹层和GaAs层不同生长温度对GaAs/AlAs异质结晶体品质的影响.发现Si夹层的引入并没有引起明显深能级缺陷,而不同温度下生长的GaAs/Si/AlAs异质结随着温度的降低,深能级缺陷明显增加,并进行了分析,得到深能级是由Ga空位引起的,在600℃时生长的晶体质量最佳.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田强	北京师范大学物理系	81	389	11.0	16.0