GaAs/Si/AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究

• 作者: 吴正龙 李永平 杨锡震 牛智川 王亚非 田强
• 来源期刊: 北京师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: GaAs/AlAs异质结 Si夹层 CV测量 导带带阶
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 页码范围: 474-477
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 1307字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0476-0301.2002.04.009

摘要

用MBE生长设备制备了GaAs/Si/AlAs异质结,通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对0.5分子层 Si夹层的影响,得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而由局域变为弥散的温度效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田强	北京师范大学物理学系	81	389	11.0	16.0
2	吴正龙	北京师范大学分析测试中心	41	276	7.0	15.0
3	杨锡震	北京师范大学分析测试中心	16	102	4.0	9.0
4	牛智川	中国科学院半导体所超晶格国家重点实验室	45	124	5.0	8.0
5	李永平	北京师范大学物理学系	5	11	2.0	3.0
6	王亚非	北京师范大学物理学系	4	4	1.0	1.0