(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究

• 作者: 何宇亮 刘明 彭英才 徐刚毅 李月霞
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: (n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结 能带模型 电流输运机构 温度特性
• 年，卷（期）: 2000,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2466-2471
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4157字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.12.027

摘要

采用常规等离子体增强化学气相沉积工艺,以高H2稀释的SiH4作为反应气体源和PH3作为磷原子的掺杂剂,在p型(100)单晶硅((p)c-Si)衬底上,成功地生长了施主掺杂型纳米硅膜((n)nc-Si:H),进而制备了(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结,并在230-420K温度范围内实验研究了该异质结的I-V特性.结果表明,(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结为一典型的突变异质结构,具有良好的温度稳定性和整流特性.正向偏压下,该异质结的电流输运机理为复合-隧穿模型.当正向偏压VF＜0.8V时,电流输运过程由复合机理所支配;而当VF＞1.0V时由隧穿机理决定.反向偏压下,该异质结具有良好的反向击穿特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子中心	207	1983	20.0	38.0
2	何宇亮	南京大学物理系	11	78	5.0	8.0
3	徐刚毅	中国科学院上海冶金研究所	9	33	3.0	5.0
4	彭英才	河北大学电子信息工程学院	103	593	12.0	19.0
8	李月霞	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	2	20	2.0	2.0