纳米硅(nc-Si∶H)/晶体硅(c-Si)异质结太阳电池计算机模拟

• 作者: 夏朝凤 廖显伯 徐德林 胡志华
• 来源期刊: 云南师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: nc-Si∶H/c-Si异质结 太阳电池 计算机模拟
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 太阳能及其应用
• 页码范围: 23-26
• 页数: 4页
• 分类号: TP34
• 字数: 2735字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-9793.2003.03.007

摘要

文章运用美国宾州大学发展的AMPS程序模拟计算了n-型纳米硅(n+-nc-Si∶H)/p-型晶体硅(p-c-Si)异质结太阳电池的光伏特性.结果显示,界面缺陷态是决定电池性能的关键因素,显著影响电池的开路电压(VOC和填充因子(FF).计算得到了这种电池理想情况下(无界面态、有背面场、正背面反射率分别为0和1)的理论极限效率ηmax=31.17%(AM1.5100MW/cm2 0.40～1.10μm波段).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏朝凤	云南师范大学太阳能研究所	60	815	15.0	27.0
2	胡志华	云南师范大学太阳能研究所	17	121	5.0	10.0
4	徐德林	云南师范大学太阳能研究所	5	3	1.0	1.0
7	廖显伯		1	2	1.0	1.0