掺杂nc-Si：H膜的电导特性

• 作者: 何宇亮 刘明 彭英才 李月霞
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 军事
• 关键词: 电导特性 nc-Si：H膜
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 308-312
• 页数: 5页
• 分类号: EEACC:2550B|2530B
• 字数: 4812字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.03.019

摘要

采用常规PECVD工艺，以高纯H2稀释的SiH4作为反应气体源，以PH3作为P原子的掺杂剂，在P型(100)单晶硅(c-Si)衬底上，成功地生长了掺P的纳米硅膜(nc-Si(P)：H)膜.通过对膜层结构的Raman谱分析和高分辨率电子显微镜(HREM)观测指出：与本征nc-Si：H膜相比，nc-Si(P)：H膜中的Si微晶粒尺寸更小(～3nm)，其排布更有秩序，呈现出类自组织生长的一些特点.膜层电学特性的研究证实，nc-Si(P)：H膜具有比本征nc-Si：H膜约高两个数量级的电导率，其σ值可高达10-1～10-1Ω-1·cm-1.这种高电导率来源于nc-Si(P)：H膜中有效电子浓度ne的增加、Si微晶粒尺寸的减小和电导激活能△E的降低.采用nc-Si(P)：H膜和P型c-Si制备了异质结二极管，其反向击穿电压值可高达75V，而反向漏电流却仅有几个nA，呈现出良好的反向击穿特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子中心	207	1983	20.0	38.0
2	何宇亮	北京航空航天大学材料物理与化学研究中心	11	181	5.0	11.0
3	彭英才		2	29	2.0	2.0
4	李月霞	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	2	20	2.0	2.0