nc-Si：H/α-SiC：H多层膜的结构与光吸收特性*

• 作者: 彭英才 沈波 蒋冰 陈乙豪 马蕾
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: α-Si:H/α-SiC:H多层膜 光吸收边蓝移 量子限制效应
• 年，卷（期）: 2014,（13）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 136804-1-136804-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.136804

摘要

利用等离子体增强化学气相沉积工艺制备了α-Si：H/α-SiC：H多层膜结构,并在900-1000?C下进行了高温退火处理,获得了尺寸可控的nc-Si：H/α-SiC：H多层膜样品。 Raman测量表明,900?C以上的退火温度可以使α-Si：H层发生限制晶化。透射电子显微镜照片显示出α-Si：H层中形成的Si纳米晶粒的纵向尺寸被α-SiC：H层所限制,而与α-Si：H层的厚度相当,晶粒的择优取向是?111?晶向。傅里叶变换红外吸收谱则清楚地显示出,高温退火导致多层膜中的H原子大量逸出,以及α-SiC：H层中有更多的Si-C 形成。对nc-Si：H/α-SiC：H多层膜吸收系数的测量证明,多层膜的吸收主要由nc-Si：H层支配,随着Si 晶粒尺寸减小,多层膜的光学带隙增大,吸收系数降低。而当nc-Si：H层厚度不变时,α-SiC：H层厚度变化则不会引起多层膜吸收系数以及光学带隙的改变。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马蕾	河北大学电子信息工程学院	43	157	8.0	10.0
2	彭英才	河北大学电子信息工程学院	103	593	12.0	19.0
6	沈波	北京大学人工微结构与介观物理国家重点实验室	13	17	3.0	3.0
7	蒋冰	河北大学电子信息工程学院	7	10	2.0	2.0
8	陈乙豪	河北大学电子信息工程学院	7	10	2.0	2.0