a-Si:H/SiO2多层膜晶化过程中的发光机理

• 作者: 冯端 徐岭 徐骏 李伟 钱波 陈三 陈坤基 韩培高 马忠元 黄信凡
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: a-Si:H/SiO2多层膜 nc-Si 光致发光
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 76-79
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 3010字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.018

摘要

采用在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中淀积a-Si:H薄膜结合原位等离子体氧化的技术,制备了一系列不同a-Si:H子层厚度的a-Si:H/SiO2多层膜.通过对其进行三步热处理:脱氢、快速热退火及准静态退火,使a-Si:H/SiO2多层膜中a-Si:H层发生非晶态到晶态的相变,获得尺寸可控的纳米硅nc-Si/SiO2多层膜.结合Raman谱,FTIR谱和TEM测试,对退火过程中多层膜的光致发光性质进行跟踪研究,分析了a-Si:H/SiO2多层膜在各个热处理阶段发光机理的演变,讨论了a-Si:H/SiO2多层膜晶化为nc-Si/SiO2多层膜过程中,发光机制与微结构之间的相互联系.