衬底温度对nc-Si∶H薄膜微结构和氢键合特征的影响

• 作者: 彭英才 李钗 蒋冰 陈乙豪 马蕾
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: nc-Si∶H薄膜 射频等离子体增强型化学气相沉积 衬底温度 氢键合
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 页码范围: 2033-2037,2042
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 4493字
• 语种: 中文

摘要

采用射频等离子体增强型化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以H2和SiH4作为反应气体源,在不同的衬底温度下沉积了nc-Si∶H薄膜.采用Raman散射、X射线衍射、红外吸收等技术分析了薄膜的微结构和氢键合特征.结果表明,随衬底温度的升高,nc-Si∶H薄膜的沉积速率不断增大,晶化率和晶粒尺寸增加,纳米硅颗粒呈现出Si(111)晶面的择优生长趋势.键合特性显示,薄膜中的氢含量随衬底温度升高而逐渐减小,薄膜均匀性先增大后减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马蕾	河北大学电子信息工程学院	43	157	8.0	10.0
2	彭英才	河北大学电子信息工程学院	103	593	12.0	19.0
3	蒋冰	河北大学电子信息工程学院	7	10	2.0	2.0
4	陈乙豪	河北大学电子信息工程学院	7	10	2.0	2.0
5	李钗	河北大学电子信息工程学院	5	11	2.0	3.0