a-Si:H/c-Si异质结太阳电池J-V曲线的 S-Shape现象

• 作者: 姚若河 耿魁伟 钟春良
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 模拟 异质结太阳电池 a-Si H/c-Si异质结
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 6538-6544
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

通过异质结界面分析与AMPS模拟计算研究了a-Si:H/c-Si异质结太阳电池在低温工作、a-Si:H 层低掺杂、高价带补偿以及高界面态时光态J-V曲线出现S-Shape现象的物理过程,总结了S-Shape现象的物理原因.分析结果表明,当空穴输运受到界面势垒的限制时,空穴在c-Si界面附近聚集,能带重新分配,c-Si耗尽区的电场减小,更多的电子从c-Si准中性区反转至c-Si界面及耗尽区与空穴复合,复合速率显著增大,光电流的损失显著增大,光态J-V曲线反映为S-Shape现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚若河	华南理工大学电子信息学院	126	611	11.0	18.0
2	耿魁伟	华南理工大学电子信息学院	10	39	3.0	6.0
3	钟春良	华南理工大学电子信息学院	1	11	1.0	1.0