溅射时间对于Mg 2 Si/Si异质结的影响

• 作者: 廖杨芳 张宝晖 杨云良 肖清泉 谢泉
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 硅化镁/硅异质结 射频磁控溅射 溅射时间 X射线衍射 表面形貌 电阻率
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 46-49
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 2295字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.07.012

摘要

采用射频磁控溅射沉积并结合热处理制备Mg2Si/Si异质结，研究了溅射时间对Mg2Si/Si异质结的结构以及电阻率的影响。首先在P型Si衬底沉积不同厚度的Mg膜，然后进行低真空热处理，制备不同厚度的Mg 2 Si/Si异质结。通过XRD、SEM对Mg2Si/Si异质结中Mg2Si的晶体结构、异质结表面和剖面形貌进行分析，结果表明：制备了单一相Mg2Si薄膜，Mg2Si(220)衍射峰最强，异质结界面平整。通过四探针仪测量电阻率进行分析，发现电阻率随Mg 2 Si膜厚的增加而减小。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉	贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所	133	486	12.0	17.0
2	肖清泉	贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所	40	199	7.0	13.0
3	廖杨芳	贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所	7	3	1.0	1.0
4	张宝晖	贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所	1	1	1.0	1.0
5	杨云良	贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所	1	1	1.0	1.0