GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究

• 作者: 刘文楷 廖奇为 朱家廉 林世鸣 武术 渠波 邓晖 陆建祖 陈弘达 高俊华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 反应离子刻蚀 刻蚀速率 GaAs AlAs DBR
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 页码范围: 1222-1225
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2661字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.027

摘要

采用BCl3和Ar作为刻蚀气体对GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制.实验结果表明:在同样条件下GaAs刻蚀的速率高于DBR和AlAs,在一定条件下GaAs刻蚀的刻蚀速率可达400nm/min,AlAs的刻蚀速率可达350nm/min,DBR的刻蚀速率可达340nm/min,刻蚀后能够具有光滑的形貌,同时能够形成陡直的侧墙,侧墙的角度可达85°.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈弘达		82	341	10.0	13.0
2	陆建祖		2	10	1.0	2.0
3	林世鸣		15	49	5.0	6.0
4	刘文楷		7	52	4.0	7.0
5	高俊华		17	111	7.0	10.0
6	武术		6	29	3.0	5.0
7	邓晖		6	45	4.0	6.0
8	渠波		6	17	3.0	4.0
9	朱家廉		1	10	1.0	1.0
10	廖奇为		1	10	1.0	1.0