反应离子刻蚀工艺中的充电效应

• 作者: 张敏 胡恒升
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 反应离子刻蚀 等离子体不均匀 充电效应
• 年，卷（期）: 2000,（11）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 81-83,67
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.98+3
• 字数: 3000字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2000.11.021

摘要

本文阐述了反应离子刻蚀(RIE)工艺过程中充电效应产生的机理,认为它是由等离子体分布的不均匀性引起的,推导了等离子体充电电流的表达式.并根据等离子体充电前后Qbd值的差异计算了等离子体充电过程中的隧穿电流密度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张敏	中国科学院上海冶金研究所微电子学分部	184	2770	26.0	48.0
2	胡恒升	中国科学院上海冶金研究所微电子学分部	4	26	2.0	4.0