反应离子刻蚀中的边缘效应及其补偿办法

• 作者: 丁桂甫 戴旭涵 蔡炳初 谢晓强 赵小林
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 反应离子刻蚀 高功率 均匀性 边缘效应
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 工艺与应用
• 页码范围: 41-44
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 2646字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2005.02.013

摘要

在反应离子刻蚀中,可以通过提高刻蚀功率来提高反应离子刻蚀速率,但此时由于反应气体浓度分布的影响,Si片中央和边缘的刻蚀速率存在着明显的差异,刻蚀量偏差最多可达±15%以上.本文分析了反应离子刻蚀中不均匀性的产生机理,并通过实验予以验证.进而提出了通过合理设计掩模图形,以减少边缘效应,从而得到均匀刻蚀结果的补偿方法.实验表明,这种补偿方法在刻蚀速率提高近3倍的同时,可以将不均匀性降至±5%以下,适用于对微结构的均匀性要求较高的场所.