硅的深度反应离子刻蚀切割可行性研究

• 作者: 刘学勤 董安平
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 深反应离子刻蚀 刀片机械切割 崩角 开裂
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 44-47
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.1
• 字数: 2513字
• 语种: 中文

摘要

评估了使用深反应离子刻蚀工艺来进行晶圆的切割,用于替代传统的刀片机械切割方式.结果表明,使用深反应离子刻蚀工艺,晶圆划片道内的硅通过等离子化学反应生成气态副产物被去除,从而避免了芯片侧面的机械损伤.切割后整个晶圆没有出现颗粒沾污,芯片边缘没有崩角以及开裂等损伤.该工艺还可以适用于更窄的划片道切割要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董安平	上海交通大学材料科学与工程学院	18	67	6.0	7.0
2	刘学勤	上海交通大学材料科学与工程学院	1	2	1.0	1.0