氮化硅的反应离子刻蚀研究

• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 反应离子刻蚀 氮化硅 刻蚀气体 优化
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 纳米、固态电子器件
• 页码范围: 864-866,870
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 3081字
• 语种: 中文

摘要

采用CHF3、CHF3+CF4和CHF3+O2三种不同气体体系作氮化硅的反应离子刻蚀(RIE)实验,研究了不同刻蚀气体对刻蚀速率、均匀性和对光刻胶的选择比三个刻蚀参数的影响.通过优化气体配比,比较刻蚀结果,最终获得了刻蚀速率为119 nm/min,均匀性为0.6%,对光刻胶选择比为3.62的刻蚀氮化硅的优化工艺.