硅的反应离子刻蚀工艺参数研究

• 作者: 戎华 王鸣 葛益娴
• 来源期刊: 南京师范大学学报（工程技术版）
• 学科: 工学
• 关键词: 反应离子刻蚀 刻蚀速率 优化工艺参数
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 79-82
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2605字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-1292.2006.03.018

摘要

对硅的反应离子刻蚀(RIE)工艺参数进行了研究.通过控制变量法,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线.结果表明,随着射频功率的增加,刻蚀速率不断增加;刻蚀速率开始随刻蚀气体压强的增加而加快,压强超过一定值时,刻蚀速率反而减小;刻蚀速率在刻蚀气体流量较小时,随气体流量的增加而加快,在较大的气体流量下反而降低.通过比较不同条件下的刻蚀结果,得到了刻蚀硅的优化工艺条件.最后用DEKTAK 6M型台阶仪测出了优化工艺条件下的刻蚀深度和粗糙度.测试结果表明在优化工艺条件下刻蚀速率快,粗糙度低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王鸣	南京师范大学光电技术江苏省重点实验室	91	636	14.0	20.0
2	葛益娴	南京师范大学光电技术江苏省重点实验室	7	62	4.0	7.0
3	戎华	南京师范大学光电技术江苏省重点实验室	15	73	5.0	8.0