硅的反应离子刻蚀实验研究

• 作者: 何小蝶 吴海华 彭明发
• 来源期刊: 实验科学与技术
• 学科: 工学
• 关键词: 反应离子刻蚀 硅 刻蚀速率 选择比 均匀性
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 实验技术
• 页码范围: 25-26,30
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2178字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-4550.2015.01.009

摘要

采用SF6和O2为刻蚀气体,在275 m(torr)的反应压力下对硅进行了反应离子刻蚀实验研究.通过不断调节射频功率、刻蚀气体的流量等系列对比实验,研究、探索并优化了对硅的反应离子刻蚀工艺条件.实验研究得出的最优化条件:射频功率为120 W,SF6和O2的流量为36 cm3/s和6 cm3/s.在该工艺条件下获得三个重要的刻蚀参数:刻蚀速率为1 036nm/min,对氧化物的选择比为56.6,均匀性为4.41％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭明发	苏州大学功能纳米与软物质研究院	3	15	3.0	3.0
5	何小蝶	苏州大学功能纳米与软物质研究院	4	27	3.0	4.0
9	吴海华	苏州大学功能纳米与软物质研究院	3	15	3.0	3.0