电子与封装期刊
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
24
总被引数(次)
9543

电子与封装

Electronics and Packaging

影响因子 0.2463
本刊是目前国内唯一以电子封装为主的技术刊物。
主办单位:
中国电子科技集团公司第五十八研究所
ISSN:
1681-1070
CN:
32-1709/TN
出版周期:
月刊
邮编:
214035
地址:
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
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总被引数(次)
9543
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  • 作者: 刘艳 徐骁 程凯 陈洁民
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  1-4
    摘要: 对电子封装用硅铝合金焊接材料的裂纹产生机理进行简要的分析.针对其焊接后极易开裂的现象,通过对硅铝合金的激光焊接工艺参数和焊接结构进行优化,获得漏率R1小于5×10-9 pa.m3/s(He)...
  • 作者: 杨城 王伯淳 谭晨
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  5-8
    摘要: 能力验证是利用实验室间比对,按照预先制定的准则评价参加者的能力,即利用实验室/机构间结果的比对来判定实验室/机构在制定业务范围内校准、检测或测试的能力.过去很多人认为破坏性试验不能进行能力验...
  • 作者: 李幸和
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  9-13,29
    摘要: 在集成电路制造业,对关键层次的CD (Critical Dimension,关键尺寸)测量是控制质量的重要手段.广泛采用统计过程控制SPC (Statistical Process Cont...
  • 作者: 傅传张 傅玉祥 李丽 李伟 顾志威
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  14-18
    摘要: 基于FIR算法在数字信号处理系统中的重要性以及当前对于高性能实时处理的需求,在一款可重构专用处理器平台上实现了FIR算法的并行化.并且对传统的直接型乘累加器进行了改进,提出了一种效率更高、延...
  • 作者: 孙敬 张宇涵 陈振娇 陶建中
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  19-23
    摘要: 基于DICE结构主-从型D触发器的抗辐照加固方法的研究,在原有双立互锁存储单元(DICE)结构D触发器的基础上改进电路结构,其主锁存器采用抗静态、动态单粒子翻转(SEU)设计,从锁存器保留原...
  • 作者: 李天阳 解同同
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  24-29
    摘要: DSP芯片的通用存储器接口可以满足DSP芯片访问片外存储器的需求,减少DSP芯片中嵌入式存储器的面积,提升DSP芯片整体性能.设计一款高性能的通用存储器接口是DSP芯片设计工作中的重要环节....
  • 作者: 张涛 张甘英 杨俊浩
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  30-33
    摘要: 设计了一种基于SMIC 0.13 μm CMOS工艺的14位l GS/s分段式电流舵型DAC.该DAC采用6+8的分段结构,1.2 V/3.3 V双电源供电,满摆幅输出电流为20 mA.采用...
  • 作者: 吕江萍 胡巧云
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  34-36,40
    摘要: 基于CSMC 0.5 μm CMOS工艺,设计了一种带曲率补偿的低温漂带隙基准源.采用折叠式共源共栅放大器反馈结构带隙基准源,利用晶体管的VBE与IC的温度特性产生T1nT补偿量,对传统的带...
  • 作者: 乔艳敏 谢达 韩兆芳
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  37-40
    摘要: CMOS电路由于寄生结构的影响,易于发生闩锁效应.主要通过流片实验测试验证,探讨了在外延厚度较薄的情况下阱掺杂浓度与击穿电压之间的关系.提出了在不改变外延厚度、保证芯片抗闩锁性能的前提下,提...
  • 作者: 李莹 王蕾 詹奕鹏
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  41-43,48
    摘要: 相变存储器由于操作电压低,读取速度快,制造工艺简单且与成熟CMOS工艺兼容,被认为最有可能替代Flash成为主流非易失性存储器.相变存储介质在存储中体积变化是影响器件可靠性的一个重要因素.研...
  • 作者: 林罡 章军云 郭啸
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  44-48
    摘要: 介绍了基于光刻机的150nmT型栅GaAs PHEMT工艺,其中重点介绍了使用的shrink关键工艺步骤.利用新工艺在某100 mm GaAs工艺线上进行流片,并通过直流测试、loadpul...

电子与封装基本信息

刊名 电子与封装 主编 王虹麟
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第五十八研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1681-1070 CN 32-1709/TN
邮编 214035 电子邮箱 ep.cetc58@163.com
电话 0510-85860386 网址 www.ep.org.cn
地址 江苏无锡市惠河路5号(208信箱)

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