电子与封装期刊
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
24
总被引数(次)
9543

电子与封装

Electronics and Packaging

影响因子 0.2463
本刊是目前国内唯一以电子封装为主的技术刊物。
主办单位:
中国电子科技集团公司第五十八研究所
ISSN:
1681-1070
CN:
32-1709/TN
出版周期:
月刊
邮编:
214035
地址:
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
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总被引数(次)
9543
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  • 作者: 云和明 李永真 马芳芳
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年9期
    页码:  1-5
    摘要: 针对电子元件的散热问题,以电子元件为研究对象,采用CFD技术对以空气为冷却流体的电子元件的6种散热方案进行了数值模拟.采用流体固体共轭传热技术,获得电子元件散热小空间的温度场及速度场.基于场...
  • 作者: 孔勇 张耀磊 李华 范国臣 黄虎
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年9期
    页码:  6-9,27
    摘要: 随着空间飞行器的电子设备向着小型化和集成化的方向发展,对综合电子系统提出了高性能、轻质化、集成化、小型化等要求.系统级封装(System in Package,SiP)已经成为重要的先进封装...
  • 作者: 张鹏辉
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年9期
    页码:  10-13,30
    摘要: 介绍了一种特别的锂电池充电管理电路,以及针对该电路的测试方法,包括该测试方法的硬件设计、测试程序编写以及提高测试稳定性的一些措施.该电路的特别之处在于内部集成了一个升压模块,相当于内置了一个...
  • 作者: 孙云华 邹家轩
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年9期
    页码:  14-17
    摘要: 随着CMOS工艺的不断深化,CMOS器件开启速度越来越快,有利于设计出更高速的电路及相关接口器件.但随着CMOS工艺深化的同时,器件的栅氧厚度也越来越薄,栅氧的击穿电压大大降低,使得器件更容...
  • 作者: 吴金 王宇星
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年9期
    页码:  18-23
    摘要: 提出了一种温度系数可配置的高阶非线性带隙基准补偿技术.利用偏置支路实现闭环负反馈,在提高PSRR的同时,控制电路内部管子的直流工作点对基准电路进行非线性高阶温度补偿.通过优化电路参数设计,进...
  • 作者: 张国良 曹菁 芦俊 陈仑
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年9期
    页码:  24-27
    摘要: 数字功能卡(PE)是集成电路测试设备的核心部件,也是SOC测试系统的必需部件,它可以完成数字IC的逻辑功能测试.成功开发好PE板是研发数字集成电路测试系统的必经过程,也是开发SOC集成电路测...
  • 作者: 张均华 张维
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年9期
    页码:  28-30
    摘要: 介绍了毫米波T/R子阵的设计方法,给出减小阵面体积、提高阵面散热能力、提高阵面可靠性和维修性等关键技术问题的解决方案.实际制作出一款Ka波段8×8通道T/R子阵.该T/R子阵具有频段高、体积...
  • 作者: 周源 胡永强
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年9期
    页码:  31-34,39
    摘要: SKILL语言是IC设计业界采用的主要软件Cadence EDA提供的编程开发语言,用户可以基于SKILL语言对EDA设计环境进行定制设计或拓展.参数化单元(Parameter Cell,P...
  • 作者: 徐政 李红征 赵文彬
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年9期
    页码:  35-39
    摘要: 短沟效应是MOS器件特征尺寸缩小面对的关键挑战之一.Halo结构能够有效抑制短沟效应,合理的Halo区掺杂分布可以改善小尺寸器件性能.在对Halo注入条件进行优化的过程中,不仅考虑了Halo...
  • 作者: 左玲玲 米丹
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年9期
    页码:  40-43
    摘要: 首先介绍了空间辐射环境,并对各种辐射效应及其损伤机理进行分析.然后对体硅CMOS集成电路的电路结构、抗辐射加固技术和版图设计抗辐射加固技术进行探索.测试结果表明,采用版图加固抗辐射技术可以使...
  • 作者: 刘学勤 董安平
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年9期
    页码:  44-47
    摘要: 评估了使用深反应离子刻蚀工艺来进行晶圆的切割,用于替代传统的刀片机械切割方式.结果表明,使用深反应离子刻蚀工艺,晶圆划片道内的硅通过等离子化学反应生成气态副产物被去除,从而避免了芯片侧面的机...

电子与封装基本信息

刊名 电子与封装 主编 王虹麟
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第五十八研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1681-1070 CN 32-1709/TN
邮编 214035 电子邮箱 ep.cetc58@163.com
电话 0510-85860386 网址 www.ep.org.cn
地址 江苏无锡市惠河路5号(208信箱)

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