一种CMOS工艺高速端口的ESD保护设计

• 作者: 孙云华 邹家轩
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: ESD 高速端口 GGNMOS NTNMOS
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 14-17
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2178字
• 语种: 中文

摘要

随着CMOS工艺的不断深化,CMOS器件开启速度越来越快,有利于设计出更高速的电路及相关接口器件.但随着CMOS工艺深化的同时,器件的栅氧厚度也越来越薄,栅氧的击穿电压大大降低,使得器件更容易受到ESD损伤.采用传统的ESD结构会显著增加节点电容,节点电容的增加会限制电路接口速率的增加.采用中芯国际(SMIC) 0.13μm工艺,设计实现了一种ESD保护电路,I/O端口翻转速率达到2Gbps,对人体模型耐压达到2000V.经过仿真验证、流片验证,设计的结构达到了该芯片抗静电能力以及端口高速传输速率的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹家轩		9	13	2.0	3.0
3	孙云华		2	2	1.0	1.0