TFSOI/CMOS ESD研究

• 作者: 刘文安 沈文正 罗来华 赵文魁
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: ESD 栅控二极管
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 36-39
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2000.06.009

摘要

文章讨论了TFSOI/CMOS中ESD电路与常见体硅ESD电路的主要区别,详细分析了ESD电路中各个组成部分对整体性能的影响,成功地研制了抗2000V静电的ESD保护电路,指出了进一步提高TFSOI/CMOS ESD抗静电能力的途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵文魁		5	22	3.0	4.0
2	刘文安		2	4	2.0	2.0
3	罗来华		3	9	2.0	3.0
4	沈文正		4	9	2.0	2.0