原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
提出了一种改进型的基于亚微米工艺中ESD保护电路,它由互补式电容实现,结构与工艺简单.电路采用0.6μm1P2M CMOS工艺进行了验证,结果表明,ESD失效电压特性有较明显改善,可达3000V以上.
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文献信息
篇名 一种新型互补电容耦合ESD保护电路
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 静电放电 保护电路 互补式电容耦合电路
年,卷(期) 2007,(11) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 67-69
页数 3页 分类号 TN4
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-7180.2007.11.019
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘佑宝 56 248 9.0 13.0
2 唐威 25 90 6.0 8.0
3 杨力宏 5 5 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
静电放电
保护电路
互补式电容耦合电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
总下载数(次)
0
总被引数(次)
59060
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