紫外压印光刻中阻蚀胶残膜刻蚀工艺

• 作者: 丁玉成 刘红忠 卢秉恒 史永胜
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 紫外压印 阻蚀胶 残膜 反应离子刻蚀
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 专题研究
• 页码范围: 1276-1279
• 页数: 4页
• 分类号: TH112|TH113.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987X.2006.11.009

摘要

针对紫外(UV)压印光刻在压印工艺过程中会产生阻蚀胶残膜的技术特点,采用以O2为反应气体来清除阻蚀胶残膜的反应离子刻蚀(RIE)工艺方法,研究了不同的反应气体流量、反应腔室压力、射频功率等刻蚀参数对刻蚀速率和刻蚀各向异性的影响,得到了刻蚀速率和刻蚀各向异性随各刻蚀参数的变化趋势图.实验结果表明,减小反应气体压力和气体流速可以降低刻蚀速率,提高刻蚀各向异性.通过对刻蚀参数的优化配置,当射频功率在200W、反应气体流速在30 mL/min、反应腔室压力为0.6 Pa时,刻蚀速率可以稳定在265 nm/min,各向异性值可以达到13,因此实现了对压印图质形的高质量转移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢秉恒	西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室	387	5973	36.0	56.0
2	丁玉成	西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室	128	1941	23.0	39.0
3	史永胜	西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室	14	144	5.0	12.0
4	刘红忠	西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室	46	349	10.0	16.0