压印光刻对准中阻蚀胶层的设计及优化

• 作者: 丁玉成 刘红忠 卢秉恒 王莉 邵金友
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 压印光刻 对准 阻蚀胶 优化
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 专题研究
• 页码范围: 1045-1048,1116
• 页数: 5页
• 分类号: TH112|TH113.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987X.2006.09.013

摘要

针对高速旋涂造成标记区阻蚀胶薄膜覆盖不对称和压印曝光造成标记区薄膜聚合的问题,利用压印光刻压印曝光固化脱模的工艺原理,提出了用压印预处理标记表面薄膜来优化阻蚀胶层厚度和形貌的工艺方法.该方法采用下压力约束薄膜,使阻蚀胶在标记区的栅格间重新分布,从而削弱了覆盖膜的不对称性,获得了相应的薄膜厚度.采用旋涂厚度为1.1 μm的覆盖膜对压印预处理工艺方法进行了试验,发现下压力大于 0.48 MPa时,薄膜结构具有较好的对称性,下压力为1.12 MPa时,对准信号的对比度达到最大.试验结果表明,压印预处理对于压印光刻系统具有较好的工艺适应性,利用该方法优化标记区的阻蚀胶层不仅能够有效削弱覆盖膜不对称和压印曝光的影响,而且对准精度可满足100 nm压印光刻的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢秉恒	西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室	387	5973	36.0	56.0
2	丁玉成	西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室	128	1941	23.0	39.0
3	王莉	西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室	112	679	14.0	20.0
4	刘红忠	西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室	46	349	10.0	16.0
5	邵金友	西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室	5	44	4.0	5.0