基于SiCl4/SF6的GaAs/AlAs ICP选择性干法刻蚀

• 作者: 仝召民 张文栋 张斌珍 张雄文 王勇 薛晨阳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAS/AlAs ICP 选择性干法刻蚀 SiCl4/SF6
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1194-1197
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 字数: 3033字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.06.034

摘要

报道了GaAs/AlAs的电感耦合等离子体(ICP)选择性干法刻蚀,刻蚀气体为SiCl4/SF6混合物.研究了在不同SiCl4/SF6气体配比、RF偏压电源功率和气室压力下,GaAs,AlAs的平均刻蚀速率与二者的选择比.合适的SiCl4/SF6气体比例(15/5sccm),低的RF偏压电源功率和高的气室压力将加强AlF3非挥发性生成物的形成,进而提高GaAs/AlAs的选择比.在SiCl4/SF6气体比例为15/5sccm,RF偏压电源功率为10W,主电源功率为500W,气室压力为2Pa时,GaAs/Al-As的选择比达1500以上.采用喇曼光谱仪对不同RF偏压电源功率和气室压力下,GaAs衬底被刻蚀面等离子体损伤进行了测试,表面形貌和被刻蚀侧壁分别采用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)进行观察.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张文栋	中北大学电子测试技术国家重点实验室仪器科学与动态测试教育部重点实验室	167	1172	16.0	26.0
2	薛晨阳	中北大学电子测试技术国家重点实验室仪器科学与动态测试教育部重点实验室	136	765	14.0	21.0
3	张斌珍	中北大学电子测试技术国家重点实验室仪器科学与动态测试教育部重点实验室	107	535	12.0	18.0
4	王勇		53	98	6.0	7.0
5	仝召民	中北大学电子测试技术国家重点实验室仪器科学与动态测试教育部重点实验室	7	22	2.0	4.0