SiCl4浓度对微晶硅薄膜生长及光电特性的影响

• 作者: 尹训昌 张杰 易明芳 祝祖送 闻军
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 微晶硅 稳恒光电导效应 晶粒 等离子体增强化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 页码范围: 1012-1016,1028
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 2509字
• 语种: 中文

摘要

研究了SiCl4浓度对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中以SiCl4/H2为反应气体的微晶硅薄膜生长及光电特性的影响.结果表明,微晶硅薄膜的沉积速率和晶化率均随SiCl4浓度的增加而增大,而晶粒平均尺寸在SiCl4浓度小于65％时呈增大趋势,在SiCl4浓度大于65％时呈减小趋势;此外,光照实验表明制备的微晶硅薄膜具有较稳定的微观结构,具有类稳恒光电导效应,且样品的电导率依赖于SiCl4浓度的变化.此外,还讨论了Cl基基团在微晶硅薄膜生长过程中所起的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张杰	安庆师范学院物理与电气工程学院	61	188	7.0	11.0
2	尹训昌	安庆师范学院物理与电气工程学院	40	20	2.0	3.0
3	祝祖送	安庆师范学院物理与电气工程学院	28	28	3.0	3.0
4	易明芳	安庆师范学院物理与电气工程学院	22	64	5.0	6.0
5	闻军	安庆师范学院物理与电气工程学院	13	9	2.0	2.0