氢稀释对高速生长纳米晶硅薄膜晶化特性的影响

• 作者: 余楚迎 刘翠青 吴燕丹 李平 林璇英 邱胜桦 陈城钊 黄种
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米晶硅薄膜 氢稀释 晶化率 硅烷
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 565-569
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.089

摘要

以SiH4与H2为气源,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的压强(230 Pa)下,研究氢稀释率对纳米晶硅薄膜的生长速率和晶化特性的影响.实验表明,薄膜的晶化率,晶粒尺寸随着氢稀释率的提高而增加,当氢稀释率为99%,薄膜的晶化率接近70%.而沉积速率却随着氢稀释率的减小而增加,当氢稀释率从99%减小到95%时,薄膜的沉积速率由0.3 nm/s增加至0.8 nm/s.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林璇英	韩山师范学院物理与电子工程系	40	400	10.0	18.0
3	邱胜桦	韩山师范学院物理与电子工程系	13	50	4.0	6.0
4	陈城钊	韩山师范学院物理与电子工程系	23	86	5.0	8.0
5	李平	韩山师范学院物理与电子工程系	10	52	5.0	6.0
6	吴燕丹	韩山师范学院物理与电子工程系	18	72	5.0	7.0
7	刘翠青	韩山师范学院物理与电子工程系	26	67	5.0	7.0
10	黄种	汕头大学物理系	1	6	1.0	1.0