低温淀积纳米非晶碳薄膜的场发射特性研究

• 作者: 朱长纯 邓宁
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 场致发射 非晶碳膜 发射点密度
• 年，卷（期）: 2000,（10）
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: TN412
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987X.2000.10.005

摘要

以n型(100)Si为衬底,用CH4和H2作反应气体,在150 ℃的衬底温度下淀积了非晶碳平面薄膜.SEM照片和AFM均显示该薄膜具有很好的均匀性,非晶碳粒的尺寸为90～100 nm.喇曼谱分析表明,薄膜的主要成分为SP2非晶碳.对样品薄膜的不同区域进行了场发射特性的测试,各被测区域的场发射特性表现出很好的一致性.在不同电压下进行了发光测试.实验表明,样品薄膜的开启电场很低,约为4 V/μm,在7 V/μm的电场下,场发射电流密度为0.016 A/cm2;用迭代法计算得薄膜的功函数为0.65 V.通过对样品的实际发射面积估算,得出发射点密度为6×104 cm-2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱长纯		215	2372	22.0	41.0
2	邓宁		4	47	2.0	4.0