纳米非晶硅薄膜的界面发光特性

• 作者: 丁文革 于威 傅广生 吕雪芹 张江勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米非晶硅 PL PLE 吸收谱 界面发光
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 91-94
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3225字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.020

摘要

采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术沉积了不同氢稀释比的富硅氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,并利用光致发光(PL)和光致发光激发(PLE)谱技术对其发光特性进行了研究.结果显示,所有样品发光均表现为两个带的叠加:一个发光带随氢稀释比增大而发生蓝移,另一个发光带则固定在2.9eV左右.前者关联于镶嵌在a-SiNx:H基质内非晶纳米硅颗粒的界面发光,后者来源于a-SiNx:H基质相关的局域态中电子和空穴对的辐射复合.并结合所沉积薄膜的吸收特性,分析了缺陷态和界面态对薄膜中非晶纳米硅界面发光特性的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅广生	河北大学物理科学与技术学院	184	817	13.0	17.0
2	于威	河北大学物理科学与技术学院	91	346	9.0	13.0
3	丁文革	河北大学物理科学与技术学院	28	80	5.0	8.0
4	张江勇	河北大学物理科学与技术学院	4	18	2.0	4.0
5	吕雪芹	河北大学物理科学与技术学院	4	25	3.0	4.0