氢氦共同稀释对微晶硅锗薄膜结构特性的影响

• 作者: 倪牮 张建军 曹宇 李天微 赵颖 黄振华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 微晶硅锗薄膜 等离子体增强化学气相沉积 He稀释
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 页码范围: 2525-2531
• 页数: 7页
• 分类号: O484
• 字数: 3053字
• 语种: 中文

摘要

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在200℃的衬底温度下,以SiH4和GeH4为反应气体,H2和He为稀释气体,制备微晶硅锗(μc-Si Gex∶H)薄膜.结合Raman,XRF,FTIR,AFM等测试,我们分析了不同流量He的掺入对高锗含量(Ge含量～40％)μc-Si1-x Gex∶H薄膜结构性能和光电特性的影响.结果表明,随着He稀释/H2稀释(CHe/H2=He/H2)的增加,薄膜的Ge含量基本保持不变,H含量减少,致密度提高,Ge悬挂键和微结构因子先减少后增大.CHe/H2=36％时,薄膜光电特性最好.