衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响

• 作者: 孙建 张丽平 张建军 张鑫 赵颖
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氢化微晶硅锗薄膜 衬底温度 光、暗电导率
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 页码范围: 831-835
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 3656字
• 语种: 中文

摘要

采用VHF-PECVD技术在玻璃衬底上沉积微晶硅锗薄膜.研究了衬底温度对微晶硅锗薄膜的微结构和光电特性的影响.结果表明:随着衬底温度的升高,微晶硅锗薄膜的生长速率减小,(220)晶向强度增强;而同一衬底温度下,锗浓度的增加将抑制薄膜(220)晶向的生长,通过相应地提高衬底温度可以解决这一问题.利用生长基团在薄膜生长表面的扩散理论对实验结果进行了解释.