衬底温度对脉冲激光沉积多晶锗薄膜的影响

• 作者: 刘桂珍 周建 李俊丽
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 化学
• 关键词: 脉冲激光沉积 多晶锗 退火处理
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 871-875,966
• 页数: 6页
• 分类号: O614.431|TN304.055
• 字数: 4376字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2019.06.003

摘要

以p型单晶硅为衬底基板,在不同衬底温度下,采用脉冲激光沉积法结合退火处理,制备了多晶锗薄膜.利用包括拉曼光谱仪和椭圆偏振仪等各种测试方法,对薄膜的形貌和微观结构进行了分析表征.结果表明,不同衬底温度下制备的锗薄膜的形貌结构有明显不同.当硅衬底的温度为300℃时,锗薄膜已经完全晶化,是结晶质量良好的多晶锗薄膜,拉曼峰谱位于297cm-1处,晶体取向为(111),(220),(311).而衬底温度低于100℃时,获得的是非晶锗薄膜,只有经过450℃以上的退火处理后,才转化为多晶锗薄膜,拉曼光谱位于298.2cm-1处,半高宽9.5cm-1,是具有(111)择优取向的多晶锗膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周建	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	42	198	8.0	10.0
2	刘桂珍	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	28	181	8.0	12.0
3	李俊丽	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	22	98	5.0	8.0